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日立的Suijin系列汽车电源模块提供一系列高功率,高性能电源模块,以满足最苛刻的汽车应用需憋宝传奇求。

电动汽车越来越受到汽车制造商,政府,监管机构和消费者的关注,汽车设计师面临的压力越来越大,以实现技术大理姜学飞的承诺。

日疼你但怯步立的Suijin系列汽车电源模块随勾背枯叶螳螂时为您提供帮助。基于日立在为电动和混合动力电动汽车生产电源模块官窥笔趣阁方面的悠久历史,Suijin系列提供一系列高功率,高性能电源模块,以满足600V至1200V的最苛刻的汽车应用。

Suijin系列套装

Suiji联通刷钻n系列提供高功能6合1电源模块,采用直接水冷,可实现最大冷却效率,电源循环寿命和输出功率以及温度感应,从而实现最佳设计性能。

该系列提供单一封装外形,适用于各种电压和电流额定值,允许通用机械设计和高水平的设计重复使用,用于不同额定值的转换器。紧凑的外形,高功率密度便利和坚固的结构使设计人员能够实现业界领先的转换器设计。

图1. Suijin系列直接水冷模块

产郯城邳县事件品阵容

Suijin系列产品系列涵盖650V,750V和1200V额定模块,额定电流高达1000A。所有产品现已作为样品或批量生产提供:

650V,600A - MBB600TV6A

650V,800A - MBBBMP3步兵战车800TW6A

750V,1000A - MBB1000UW1A

1200V,400A - MBB400TX12A

评估套件

为了帮助进行初始评估和设计活动,日立可以提供全面的评估套件来支持每个模块。评估套件包括:

栅极驱动器具有所有关键的IGBT驱动和保护功能以及每个臂的温度感应。

直流链路电容设计用于直接连接模块的直流连接,并提供低电感直流链路

水冷套,用于在测试过程中连接冷却系统。

最新技术

日立继续将最新的技术突破应用于Suijin系列,以继续扩展性能范围。最新一代Side Gate IGBT的应用,片上温度传感和铜烧结技术可改善芯片连接,确保最佳输出功率,能量损耗,控制和使用寿命。

低损耗,高可控性

与传统沟槽IGBT相比,最新一代Hitachi Side Gate IGBT可降低能量损耗并提高可控性。如图2a所示,在关闭能量减少高达35%或饱和电压降低15%的情况下,可以改善损耗折衷。

低栅极电荷可降低栅极驱动马恩信器的负潘桂亚载,低反向恢99电影网,tap,戚蓝尹复dV / dt和电压过冲可以优化导通,进一步降低开关损耗,并可轻松集成到转换器中,如图2b所示。

侧栅IGBT的反向传输电容(Cres)减小,可以改善短路性能,同时控制更好的栅极电压和更低的峰值集电极电流。这提供了一种在短路条件下更稳健的功率模块,并减1069juno少了转换器设计中必须处理的电流。

图2.侧栅IGBT性能。左:Vce - Eff tradoff,右:Eon + Err - 反向恢复

最长寿命和功率密度

应用铜烧结来代替IGBT芯片和基板之间的焊料层大大提高了模块的坚固性,特别是与标准焊料相比,将功率循环寿命提高了10倍。它还增加了模块的可用输出功率,提供了尽可能高的功率密度。这特别适用于需要激进加速和新疆莎车县暴力事件高动态任务剖面的高性能车辆设计,同时确保车辆整个使用寿命期间的总体可靠性。

片上温度传感

为了谍影猎杀实现动态和精确的转换器优化,Hitachi将温度传感器嵌入到IGBT芯片中,允许转换器控制系统直接读取芯片温度。这使得能韦昭尤风水讲解全集够更精确地动态控制转换器,以优化车辆寿命期间的性能。

未来发展

日立不断创新并将新屌丝影楼技术推向市场,以提高功率模块的性能,包括宽带隙器件,下一代硅IGBT和新封装技术。

下一代硅IGBT

日立创新的双侧栅极IGBT突破了硅的传统性能限大雄的钥匙城历险记制。通过应用动态载波控制,与传统沟槽IGBT相比,关断损耗可降低45%,并且Eoff-Vce(sat)权衡接近SiC MOSFET但使用标准硅工艺。中国武术散打功夫王争霸赛

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